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行业研究
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美股芯片股明显分化：从希捷明显上涨与泰瑞达收跌，看 AI 算力挤出效应的第二波
AI 算力扩张对存储、测试设备和边缘芯片的拉动并不均匀。m8 认为，这篇文章可以保留为美股半导体分化框架，但个股涨跌和订单变化应作为观察变量跟踪为公开财报观察。
算力虹吸与白马失血：科创50飙升背后的半导体与AI硬件产能重估
A股半导体行情不能只看指数涨跌，核心是 AI 硬件、MLCC、光模块和国产替代的资金映射。m8 认为，这篇文章可以作为 A 股半导体框架文，但需要降低行情叙事强度。
半导体产业链 2026 图谱：寻找 AI 算力瓶颈与景气度主线
半导体产业链图谱应该服务于“AI 算力瓶颈在哪里”的问题，而不是堆公司名单。m8 认为，这篇文章可以改成从设备、材料、先进封装、HBM、EDA/IP 和代工产能出发的常青导航文。
HBM 与先进封装 2026：内存墙、CoWoS 与混合键合变量
Samsung 已公开 HBM4/HBM4E 进展，NVIDIA 也公开 Vera Rubin 与 GB 系列 AI 平台方向。m8 认为，这个专题页适合做 HBM、CoWoS、混合键合、TSV、测试和设备链条的研究导航，但所有产能、份额、价格、订单和 A 股映射都必须保留为需继续跟踪变量。
gap-hbm-2026
HBM 与先进封装是 AI 算力交付中的物理瓶颈之一，但供需缺口、CoWoS 产能和混合键合节奏必须用公开资料逐项核验。m8 认为，这篇文章适合改成 HBM/先进封装常青框架文。
半导体产业链 2026：AI 算力瓶颈、设备材料与封装图谱
Samsung 已公开 HBM4/HBM4E 进展，NVIDIA 也公开 Vera Rubin 与 GB 系列 AI 平台方向。m8 认为，这个专题页适合做 HBM、CoWoS、混合键合、TSV、测试和设备链条的研究导航，但所有产能、份额、价格、订单和 A 股映射都必须保留为需继续跟踪变量。
半导体供应链：产能出海与宏观定价 2026
Samsung 已公开 HBM4/HBM4E 进展，NVIDIA 也公开 Vera Rubin 与 GB 系列 AI 平台方向。m8 认为，这个专题页适合做 HBM、CoWoS、混合键合、TSV、测试和设备链条的研究导航，但所有产能、份额、价格、订单和 A 股映射都必须保留为需继续跟踪变量。
半导体供应链 2026：设备、材料与先进封装路线图
Samsung 已公开 HBM4/HBM4E 进展，NVIDIA 也公开 Vera Rubin 与 GB 系列 AI 平台方向。m8 认为，这个专题页适合做 HBM、CoWoS、混合键合、TSV、测试和设备链条的研究导航，但所有产能、份额、价格、订单和 A 股映射都必须保留为需继续跟踪变量。
半导体供应链 2026：AI 物理瓶颈与产能出海
Samsung 已公开 HBM4/HBM4E 进展，NVIDIA 也公开 Vera Rubin 与 GB 系列 AI 平台方向。m8 认为，这个专题页适合做 HBM、CoWoS、混合键合、TSV、测试和设备链条的研究导航，但所有产能、份额、价格、订单和 A 股映射都必须保留为需继续跟踪变量。
半导体供应链 2026：AI 物理瓶颈与产能出海路径
Samsung 已公开 HBM4/HBM4E 进展，NVIDIA 也公开 Vera Rubin 与 GB 系列 AI 平台方向。m8 认为，这个专题页适合做 HBM、CoWoS、混合键合、TSV、测试和设备链条的研究导航，但所有产能、份额、价格、订单和 A 股映射都必须保留为需继续跟踪变量。
半导体供应链 2026：AI 物理瓶颈、材料约束与产能出海
Samsung 已公开 HBM4/HBM4E 进展，NVIDIA 也公开 Vera Rubin 与 GB 系列 AI 平台方向。m8 认为，这个专题页适合做 HBM、CoWoS、混合键合、TSV、测试和设备链条的研究导航，但所有产能、份额、价格、订单和 A 股映射都必须保留为需继续跟踪变量。
EDA/IP 2026：先进节点、Chiplet 与算力成本约束
Synopsys、Cadence、Arm、UCIe 等公开资料可以支撑 EDA/IP 是先进节点、Chiplet 与定制 ASIC 的关键基础设施。m8 认为，这篇文章可以讨论设计成本、授权生态和算力成本再定价，但份额、授权费、客户案例和国产替代率应作为观察变量跟踪为观察变量。
晶圆代工 2026：先进制程、成熟制程与 AI 封装分化
TSMC、Samsung Foundry、SMIC、HHGrace 等公开投资者资料可以支撑晶圆代工格局和先进制程/成熟制程分化框架。m8 认为，这篇文章可以讨论 AI 芯片对先进制程和先进封装的拉动，但市场份额、价格、资本开支和产能利用率应逐项公开核验。
CMP抛光设备2026：先进制程平坦化跃升、耗材刚需放量与国产替代深水区
CMP 是先进制程、3D NAND 和先进封装中持续增加的关键工艺环节，但具体设备份额、耗材用量、国产化率和客户进展需要公开来源逐项验证。m8 认为，这篇文章可作为 CMP 子专题研究框架，需要将高风险数字降级为验证变量。
半导体光刻机2026深度研究：国产替代缺口雷达与A股设备链全景
ASML、SEMI 与出口管制公开材料可以支撑“光刻机仍是半导体设备最强约束之一”这一方向。m8 认为，本文整理为“光刻机产业链知识架构 + 国产替代观察”，删除或降级所有未经核验的市场规模、EUV 出货、中国区占比和 A 股公司确定性表述。
半导体材料知识架构 2026：光刻胶、CMP与电子气体的专题阅读与验证路径
这篇知识架构稿承接半导体材料黄灯候选，将光刻胶、CMP、电子气体、硅片、靶材和高纯湿电子化学品拆为专题阅读路径。m8 认为，它适合作为专题页骨架和子题任务清单，但材料市场规模、国产化率、客户导入和公司映射仍需逐项公开来源。
2026先进封装与HBM供需全景解构：算力瓶颈、材料通胀与混合键合的技术终局
2026年，AI算力需求将全球半导体产业链的核心矛盾从“前端晶圆代工”彻底转移至“后端先进封装（CoWoS）与高带宽内存（HBM）”，物理极限的逼近迫使产业链在混合键合（Hybrid Bonding）工艺、数据中心液冷重构以及关键战略金属耗材三大维度发生剧烈的价值重估，并为中国本土存储与先进封装设备的战略性突围打开了历史性窗口。
2026半导体设备国产化率全景图：刻蚀、薄膜、清洗、量检测、CMP五大主线怎么拆？
半导体设备国产化率是 m8 后续要长期跟踪的核心专题，但“国产化率”本身很容易被不同口径污染。m8 认为，本文整理为刻蚀、薄膜、清洗、量检测、CMP 五条设备链的研究框架，所有百分比、订单、替代进度和公司映射都应逐项标注来源，并作为观察变量继续跟踪。